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GermanySTI30NM60N
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
STI30NM60N
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™ II
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
STI30N
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STI30NM60N
Documenti e supporti
Datasheets
1(STx30NM60N)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPI60R125CPXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 490
Prezzo unitario. : $6.08000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 490
Prezzo unitario. : $6.08000
Tipo sostitutivo. : Similar