MG1006-83B

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

MG1006-83B

DESCRIZIONE

GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

RF Diode PIN - Single 10V 700 mA 100 mW

PRODUTTORE

Microchip Technology

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

1

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

Microchip Technology

Series

-

Package

Bag

Product Status

Active

Diode Type

PIN - Single

Voltage - Peak Reverse (Max)

10V

Current - Max

700 mA

Capacitance @ Vr, F

-

Resistance @ If, F

-

Power Dissipation (Max)

100 mW

Operating Temperature

-

Package / Case

-

Supplier Device Package

-

Base Product Number

MG1006

Classificazioni ambientali e di esportazione

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.10.0060

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/RF Diodes/Microchip Technology MG1006-83B

Documenti e supporti

Environmental Information

()

PCN Assembly/Origin

1(Mult Dev 22/Aug/2020)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

DW-08-19-T-S-960 C322C562G3G5TA ESQT-106-02-F-D-535 RLR07C9701FSB14 68001-431HLF

MG1006-83B

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Specifiche tecniche

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altri nomi

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Quantità Prezzo

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