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GermanyMMBT5551LT1H
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MMBT5551LT1H
DESCRIZIONE
SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
MMBT5551LT1H Models
PACCHETTO STANDARD
11,539
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Power - Max
225 mW
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
2156-MMBT5551LT1H
ONSONSMMBT5551LT1H
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi MMBT5551LT1H
Documenti e supporti
Datasheets
1(MMBT5551LT1G Datasheet)
EDA Models
1(MMBT5551LT1H Models)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 11539
Prezzo unitario: $0.03
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 11539
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 11539
Sostituti
-