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GermanyIXFN180N20
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFN180N20
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 180A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
660 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
22000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
700W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN180
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN180N20
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXFN180N20)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices OBS 24/Feb/2014)
HTML Datasheet
1(IXFN180N20)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 300
Prezzo unitario: $42.75457
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Sostituti
Parte n. : IXFN210N20P
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2,600.56000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2,600.56000
Tipo sostitutivo. : Direct