English
Spain
Rusia
China
GermanyIPS70R950CEAKMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPS70R950CEAKMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 700 V 7.4A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
75
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3-11
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base Product Number
IPS70R950
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-IPS70R950CEAKMA1
ROCINFIPS70R950CEAKMA1
SP001467044
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS70R950CEAKMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPx70R950CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(IPx70R950CE)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 700V CE Spice Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPS70R900P7SAKMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 821
Prezzo unitario. : $0.69000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 821
Prezzo unitario. : $0.69000
Tipo sostitutivo. : Similar