English
Spain
Rusia
China
GermanyFF200R12KS4PHOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FF200R12KS4PHOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MOD 1200V 275A 1400W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Half Bridge 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
26 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
8
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
275 A
Power - Max
1400 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
13 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF200R12
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
FF200R12KS4P
SP001403816
2156-FF200R12KS4PHOSA1-448
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF200R12KS4PHOSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(FF200R12KS4P)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 32
Prezzo unitario: $144.48344
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 16
Prezzo unitario: $150.1275
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $160.29
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-