Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI2335DS-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1225 pF @ 6 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
SI2335

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI2335DS-T1-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(Si2335DS)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013)
HTML Datasheet
1(Si2335DS)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : SI2333DDS-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.40000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : RZR020P01TL
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 7,580
Prezzo unitario. : $0.51000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : RZR025P01TL
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 6,868
Prezzo unitario. : $0.58000
Tipo sostitutivo. : Similar