English
Spain
Rusia
China
GermanyFF650R17IE4VBOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FF650R17IE4VBOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MODULE 1700V 4150W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module 2 Independent 1700 V 4150 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
PrimePACK™2
Package
Tray
Product Status
Not For New Designs
IGBT Type
-
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Power - Max
4150 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 650A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
54 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF650R17
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
FF650R17IE4V-ND
FF650R17IE4V
448-FF650R17IE4VBOSA1
SP001156330
FF650R17IE4VBOSA1-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF650R17IE4VBOSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(FF650R17IE4V)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 12
Prezzo unitario: $514.97417
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 3
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 3
QUANTITÀ: 3
Prezzo unitario: $535.09
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 3
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 3
Sostituti
-