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GermanyGA1L4M-T2-A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
GA1L4M-T2-A
DESCRIZIONE
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-70
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,664
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
95 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Power - Max
150 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SC-70
Base Product Number
GA1L4M
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
2156-GA1L4M-T2-A-RE
RENRNSGA1L4M-T2-A
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation GA1L4M-T2-A
Documenti e supporti
Datasheets
1(GA1L4M-T2-A)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 2664
Prezzo unitario: $0.11
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 2664
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 2664
Sostituti
Parte n. : PDTC144EU,115
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 78,219
Prezzo unitario. : $0.19000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 78,219
Prezzo unitario. : $0.19000
Tipo sostitutivo. : Direct