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GermanyMB85R256GPF-G-BND-ERE1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
DESCRIZIONE
IC FRAM 256KBIT PARALLEL
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kbit Parallel 150 ns
PRODUTTORE
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FRAM
Technology
FRAM (Ferroelectric RAM)
Memory Size
256Kbit
Memory Organization
32K x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
150ns
Access Time
150 ns
Voltage - Supply
2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
-
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Base Product Number
MB85R256
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
OBSOLETE
HTSUS
0000.00.0000
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Fujitsu Semiconductor Memory Solution MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Documenti e supporti
Video File
1(Kaga FEI America Introduction of FRAM Usage)
PCN Packaging
1(Interior Box 14/Apr/2023)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-