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GermanyFQI32N12V2TU
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQI32N12V2TU
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 120 V 32A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
592
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1860 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-FQI32N12V2TU-FS
FAIFSCFQI32N12V2TU
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI32N12V2TU
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQI32N12V2TU)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 592
Prezzo unitario: $0.51
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 592
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 592
Sostituti
-