Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SCTW40N120G2VAG
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 290W (Tc) Through Hole HiP247™
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
52 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
290W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
HiP247™
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SCTW40

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG

Documenti e supporti

Datasheets
1(SCTW40N120G2VAG)
PCN Design/Specification
1(TO247 Frame 24-Feb-2022)
PCN Packaging
1(Standard outer labelling 15/Nov/2023)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 510
Prezzo unitario: $14.07859
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $16.49833
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $17.59833
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $21.23
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : MSC080SMA120B
Produttore. : Microchip Technology
Quantità disponibile. : 142
Prezzo unitario. : $12.80000
Tipo sostitutivo. : Similar