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GermanyBSM120D12P2C005
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSM120D12P2C005
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
PRODUTTORE
Rohm Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
17 Weeks
MODELLO EDACAD
BSM120D12P2C005 Models
PACCHETTO STANDARD
12
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 10V
Power - Max
780W
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM120
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005
Documenti e supporti
Datasheets
()
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EDA Models
1(BSM120D12P2C005 Models)
Simulation Models
1(BSM120D12P2C005 Spice Model)
Reliability Documents
1(SiC PM Reliability Test)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $380.362
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $395.22
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-