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China
Germany2SD2281R
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SD2281R
DESCRIZIONE
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 12 A 10MHz 3 W Through Hole TO-3PML
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
296
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 2V
Power - Max
3 W
Frequency - Transition
10MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-3PML
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-2SD2281R
ONSONS2SD2281R
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SD2281R
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 296
Prezzo unitario: $1.01
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 296
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 296
Sostituti
-