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GermanySIRA34DP-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIRA34DP-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.3W (Ta), 31.25W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIRA34
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SIRA34DP-T1-GE3DKR
SIRA34DP-T1-GE3CT
SIRA34DP-T1-GE3-ND
SIRA34DP-T1-GE3TR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIRA34DP-T1-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIRA34DP-T1-GE3)
Product Training Modules
1(30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN Assembly/Origin
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML Datasheet
()
Product Drawings
1(PowerPak SO-8 Drawing)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SIRA18ADP-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 2,585
Prezzo unitario. : $0.41000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,585
Prezzo unitario. : $0.41000
Tipo sostitutivo. : Similar