Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHD6N80E-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
10 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
827 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SIHD6

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHD6N80E-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(SIHD6N80E)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
HTML Datasheet
1(SIHD6N80E)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 6000
Prezzo unitario: $0.88815
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 3000
Prezzo unitario: $0.92285
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $1.353
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $1.7
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $2.05
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : TK5P60W,RVQ
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 9,180
Prezzo unitario. : $1.79000
Tipo sostitutivo. : Similar