Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDS3812
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FDS3812 Models
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
634pF @ 40V
Power - Max
900mW
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
FDS38

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/onsemi FDS3812

Documenti e supporti

Datasheets
1(FDS3812)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(FDS3812)
EDA Models
1(FDS3812 Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRF7103TRPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 10,790
Prezzo unitario. : $0.93000
Tipo sostitutivo. : Similar