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GermanyIRF1010EZLPBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF1010EZLPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 75A TO262
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2810 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
*IRF1010EZLPBF
SP001574512
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF1010EZLPBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF1010EZ (S,L) PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(IRF1010EZ (S,L) PbF)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRF1010EZPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 10,268
Prezzo unitario. : $1.62000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 10,268
Prezzo unitario. : $1.62000
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