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GermanyBSM180D12P3C007
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSM180D12P3C007
DESCRIZIONE
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module
PRODUTTORE
Rohm Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
17 Weeks
MODELLO EDACAD
BSM180D12P3C007 Models
PACCHETTO STANDARD
12
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Power - Max
880W
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM180
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Rohm Semiconductor BSM180D12P3C007
Documenti e supporti
Datasheets
()
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1(BSM080D12P2C008)
EDA Models
1(BSM180D12P3C007 Models)
Simulation Models
1(BSM180D12P3C007 Spice Model)
Reliability Documents
1(SiC PM Reliability Test)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 12
Prezzo unitario: $582.55083
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $605.31
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-