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Germany2SD1694-AZ
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SD1694-AZ
DESCRIZIONE
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 250MHz 1.3 W Through Hole TO-126
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
508
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
800 @ 500mA, 5V
Power - Max
1.3 W
Frequency - Transition
250MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-2SD1694-AZ
RENRNS2SD1694-AZ
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SD1694-AZ
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 508
Prezzo unitario: $0.59
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 508
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 508
Sostituti
-