English
Spain
Rusia
China
GermanySI1303DL-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI1303DL-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 20 V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
670mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
290mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-70-3
Package / Case
SC-70, SOT-323
Base Product Number
SI1303
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI1303DL-T1-GE3
Documenti e supporti
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014)
HTML Datasheet
1(SI1303DL)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : BSS209PWH6327XTSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 78,186
Prezzo unitario. : $0.35000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 78,186
Prezzo unitario. : $0.35000
Tipo sostitutivo. : Similar