Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
STH180N4F6-2
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
STMicroelectronics
Series
STripFET™ F6
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7735 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
H2PAK-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
STH180

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STH180N4F6-2

Documenti e supporti

PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev OBS 2/Apr/2020)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : PSMN1R1-40BS,118
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 3,918
Prezzo unitario. : $3.38000
Tipo sostitutivo. : Similar