Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFBC40LPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262-3
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
8 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IRFBC40

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBC40LPBF

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRFBC40S,L, SiHFBC40S,L)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Devices 18/Jul/2017)
HTML Datasheet
1(IRFBC40S,L, SiHFBC40S,L)
Product Drawings
()

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1000
Prezzo unitario: $2.21254
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000

Sostituti

Parte n. : FQI7N60TU
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 1,000
Prezzo unitario. : $2.96000
Tipo sostitutivo. : Similar