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GermanySIHB15N65E-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHB15N65E-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
28 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
34W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB15
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB15N65E-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIHB15N65E)
HTML Datasheet
1(SIHB15N65E)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1000
Prezzo unitario: $1.78497
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000
Sostituti
Parte n. : STB25N80K5
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 630
Prezzo unitario. : $6.08000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 630
Prezzo unitario. : $6.08000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : TK14G65W,RQ
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 2,911
Prezzo unitario. : $2.36000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 2,911
Prezzo unitario. : $2.36000
Tipo sostitutivo. : Similar