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GermanyPHM12NQ20T,518
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PHM12NQ20T,518
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 14.4A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5x6)
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HVSON (5x6)
Package / Case
8-VDFN Exposed Pad
Base Product Number
PHM12
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
PHM12NQ20T /T3
934057302518
PHM12NQ20T /T3-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PHM12NQ20T,518
Documenti e supporti
Datasheets
1(PHM12NQ20T)
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(PHM12NQ20T)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : BSC12DN20NS3GATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 12,685
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 12,685
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar