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GermanyAUIRF7675M2TR
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AUIRF7675M2TR
DESCRIZIONE
AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2
PRODUTTORE
International Rectifier
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
268
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.4A (Ta), 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 45W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric M2
Package / Case
DirectFET™ Isometric M2
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFIRFAUIRF7675M2TR
2156-AUIRF7675M2TR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier AUIRF7675M2TR
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 268
Prezzo unitario: $1.12
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 268
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 268
Sostituti
-