Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPN50R650CEATMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-3
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Base Product Number
IPN50R650

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

IPN50R650CEATMA1TR
IPN50R650CEATMA1-ND
SP001434880
INFINFIPN50R650CEATMA1
IPN50R650CEATMA1DKR
IPN50R650CEATMA1CT
2156-IPN50R650CEATMA1

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPN50R650CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(IPN50R650CE)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 30000
Prezzo unitario: $0.24913
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 3000
QUANTITÀ: 9000
Prezzo unitario: $0.25162
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 3000
QUANTITÀ: 6000
Prezzo unitario: $0.27175
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 3000
QUANTITÀ: 3000
Prezzo unitario: $0.28684
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 3000

Sostituti

-