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GermanyIRFH5110TR2PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFH5110TR2PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
400
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3152 pF @ 25 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001570790
IRFH5110TR2PBFCT
IRFH5110TR2PBFDKR
IRFH5110TR2PBFTR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFH5110PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Environmental Information
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
Simulation Models
1(IRFH5110TR2PBF Saber Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : DMT10H015LFG-7
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 37,330
Prezzo unitario. : $1.05000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 37,330
Prezzo unitario. : $1.05000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : TPN1600ANH,L1Q
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 1,395
Prezzo unitario. : $0.85000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 1,395
Prezzo unitario. : $0.85000
Tipo sostitutivo. : Similar