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GermanyBC847QAPN147
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BC847QAPN147
DESCRIZIONE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
9,812
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Power - Max
350mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN1010B-6
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
NEXNEXBC847QAPN147
2156-BC847QAPN147
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/NXP USA Inc. BC847QAPN147
Documenti e supporti
Datasheets
1(BC847QAPN)
HTML Datasheet
1(BC847QAPN)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-