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GermanyHGTP5N120BND
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HGTP5N120BND
DESCRIZIONE
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT NPT 1200 V 21 A 167 W Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 5A
Power - Max
167 W
Switching Energy
450µJ (on), 390µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
53 nC
Td (on/off) @ 25°C
22ns/160ns
Test Condition
960V, 5A, 25Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3
Base Product Number
HGTP5N120
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/onsemi HGTP5N120BND
Documenti e supporti
Datasheets
1(HGTG5N120BND, HGTP5N120BND)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 30/Sep/2022)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(TO220B03 Pkg Drawing)
Product Drawings
1(TO220B03 Pkg Drawing)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : APT15GT120BRDQ1G
Produttore. : Microchip Technology
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $4.42500
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $4.42500
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IXGP12N120A3
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 50
Prezzo unitario. : $4.12000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 50
Prezzo unitario. : $4.12000
Tipo sostitutivo. : Similar