Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SPP07N65C3XKSA1
DESCRIZIONE
LOW POWER_LEGACY
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP07N

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-SPP07N65C3XKSA1-IT
SP000681036
INFINFSPP07N65C3XKSA1

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP07N65C3XKSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(SPx07N65C3)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C3 Spice Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPP60R600P7XKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.61000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : SPP07N60C3XKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 358
Prezzo unitario. : $2.56000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : IXTP14N60PM
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2.73553
Tipo sostitutivo. : Similar