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GermanyBC639,112
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BC639,112
DESCRIZIONE
TRANS NPN 80V 1A TO92-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 180MHz 830 mW Through Hole TO-92-3
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Power - Max
830 mW
Frequency - Transition
180MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Supplier Device Package
TO-92-3
Base Product Number
BC63
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
933221940112
BC639P
BC639P-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. BC639,112
Documenti e supporti
Datasheets
1(BC(P,X)56(PA))
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-