Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
PSMN2R8-40BS,118
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
333

Specifiche tecniche

Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4491 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
211W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Classificazioni ambientali e di esportazione

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-PSMN2R8-40BS,118
NEXNEXPSMN2R8-40BS,118

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PSMN2R8-40BS,118

Documenti e supporti

Datasheets
1(PSMN2R8-40BS Datasheet)
HTML Datasheet
1(PSMN2R8-40BS Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 333
Prezzo unitario: $0.9
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 333

Sostituti

-