Ultimo aggiornamento
20250721
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SI1905BDH-T1-E3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI1905BDH-T1-E3
DESCRIZIONE
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
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Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
542mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
62pF @ 4V
Power - Max
357mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-70-6
Base Product Number
SI1905
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SI1905BDH-T1-E3
Documenti e supporti
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(SI1905BDH)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SI1965DH-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 2,875
Prezzo unitario. : $0.49000
Tipo sostitutivo. : Similar
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