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GermanySQP90142E_GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SQP90142E_GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 78.5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
SQP90142E_GE3 Models
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
78.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SQP90142
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SQP90142E_GE3DKR-ND
SQP90142E_GE3CT
SQP90142E_GE3DKRINACTIVE
SQP90142E_GE3TR-ND
SQP90142E_GE3TR
SQP90142E_GE3DKR
SQP90142E_GE3CT-ND
SQP90142E_GE3TRINACTIVE
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SQP90142E_GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SQP90142E)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 12/Nov/2021)
HTML Datasheet
1(SQP90142E)
EDA Models
1(SQP90142E_GE3 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXFP90N20X3
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $7.37000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $7.37000
Tipo sostitutivo. : Similar