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GermanySPP21N10
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SPP21N10
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
865 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
90W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP21N
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFINFSPP21N10
SPP21N10XTIN
SP000013842
SPP21N10X
SPP21N10XTIN-ND
SPP21N10IN
SPP21N10IN-NDR
2156-SPP21N10-IT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP21N10
Documenti e supporti
Datasheets
1(SPI,SPP,SPB21N10 G)
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1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPI,SPP,SPB21N10 G)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 38,368
Prezzo unitario. : $1.30000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Parte n. : PHP18NQ10T,127
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 4,989
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Parte n. : STP24NF10
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 720
Prezzo unitario. : $1.61000
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