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GermanyFQB6N50TM
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQB6N50TM
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 5.5A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FQB6
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQB6N50TM
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQB6N60, FQI6N60)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FQB6N60, FQI6N60)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXTA3N50D2
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 140
Prezzo unitario. : $4.97000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 140
Prezzo unitario. : $4.97000
Tipo sostitutivo. : Similar