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GermanyIRFS4115PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFS4115PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.1mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
64-2135PBF
64-2135PBF-ND
SP001565010
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFS4115PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFS(L)4115PBF)
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PCN Design/Specification
1(Material Chg 24/Nov/2015)
HTML Datasheet
1(IRFS(L)4115PBF)
Simulation Models
1(IRFS4115PBF Saber Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPB50N10S3L16ATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2.32000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2.32000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : FDB2532
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 3,876
Prezzo unitario. : $4.23000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 3,876
Prezzo unitario. : $4.23000
Tipo sostitutivo. : Similar