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GermanyIPU60R1K5CEAKMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPU60R1K5CEAKMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 3.1A (Tc) Through Hole PG-TO251-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
FET Feature
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
IPU60R
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPU60R1K5CEAKMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPx60R1K5CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(IPx60R1K5CE)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : STU5N62K3
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 3,000
Prezzo unitario. : $1.77000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 3,000
Prezzo unitario. : $1.77000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : DMJ70H1D3SJ3
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar