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GermanyBSP322PL6327HTSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSP322PL6327HTSA1
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 380µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
372 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-21
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-ND
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP322PL6327HTSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSP322P)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : BSP322PH6327XTSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 3,293
Prezzo unitario. : $0.94000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 3,293
Prezzo unitario. : $0.94000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent