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GermanyRJK03M8DNS-00#J5
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RJK03M8DNS-00#J5
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 30A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
524
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2590 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
20W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HWSON (3.3x3.3)
Package / Case
8-PowerWDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-RJK03M8DNS-00#J5-RETR
RENRNSRJK03M8DNS-00#J5
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation RJK03M8DNS-00#J5
Documenti e supporti
Datasheets
1(RJK03M8DNS-00#J5)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 524
Prezzo unitario: $0.57
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 524
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 524
Sostituti
-