Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF710
DESCRIZIONE
PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Harris Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
740

Specifiche tecniche

Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
135 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
36W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRF710

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000

Altri nomi

2156-IRF710
HARHARIRF710

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRF710

Documenti e supporti

Datasheets
1(Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 740
Prezzo unitario: $0.41
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 740

Sostituti

-