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GermanySI4420DYPBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI4420DYPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
95
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2240 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001574118
INFINFSI4420DYPBF
2156-SI4420DYPBF-IT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SI4420DYPBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(SI4420DY)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(SI4420DY)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FDS6680A
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.90000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.90000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : FDS8880
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 17,416
Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Similar