English
Spain
Rusia
China
GermanyRFD16N05LSM
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RFD16N05LSM
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 50 V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
PRODUTTORE
Harris Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
503
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
RFD16
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
HARHARRFD16N05LSM
2156-RFD16N05LSM-HC
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RFD16N05LSM
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 503
Prezzo unitario: $0.6
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 503
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 503
Sostituti
-