IXTQ120N15T

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

IXTQ120N15T

DESCRIZIONE

MOSFET N-CH 150V 120A TO3P

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

N-Channel 150 V 120A (Tc) Through Hole TO-3P

PRODUTTORE

IXYS

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

IXYS

Series

Trench

Package

Tube

Product Status

Active

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4900 pF @ 25 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

-

Operating Temperature

-

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-3P

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Base Product Number

IXTQ120

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTQ120N15T

Documenti e supporti

Environmental Information

1(Ixys IC REACH)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

TPA112DGNR VJ0603D560KLAAP 139.1-79-101-A HDWM-50-59-G-D-200 ECS-3518-666-B-TR

IXTQ120N15T

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Specifiche tecniche

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Altri nomi

Categoria

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Quantità Prezzo

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