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GermanyIPI037N08N3GHKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPI037N08N3GHKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8110 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
214W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI037N
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000454278
IPI037N08N3 G-ND
IPI037N08N3 G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI037N08N3GHKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPx035N08N3 G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx035N08N3 G)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRFSL3207ZPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 880
Prezzo unitario. : $3.39000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 880
Prezzo unitario. : $3.39000
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