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GermanyFQI10N60CTU
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQI10N60CTU
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
333
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2040 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
FAIFSCFQI10N60CTU
2156-FQI10N60CTU-FS
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI10N60CTU
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQI10N60CTU)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 333
Prezzo unitario: $0.9
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 333
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 333
Sostituti
-