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GermanyFQPF7N80C
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQPF7N80C
DESCRIZIONE
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
249
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
56W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Altri nomi
ONSONSFQPF7N80C
2156-FQPF7N80C
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQPF7N80C
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQPF7N80C Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 249
Prezzo unitario: $1.21
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 249
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 249
Sostituti
-