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GermanyIPI70N10S3L12AKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPI70N10S3L12AKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI70N
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000427250
IFEINFIPI70N10S3L12AKSA1
IPI70N10S3L-12
2156-IPI70N10S3L12AKSA1-IT
IPI70N10S3L-12-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI70N10S3L12AKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPx70N10S3L-12)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx70N10S3L-12)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPP70N10S3L12AKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 426
Prezzo unitario. : $2.85000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Prezzo unitario. : $2.85000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : FDI150N10
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 3,338
Prezzo unitario. : $2.84000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Prezzo unitario. : $2.84000
Tipo sostitutivo. : Similar