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GermanyIRFH5020TR2PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFH5020TR2PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
400
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 100 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001556316
IRFH5020TR2PBFCT
IRFH5020TR2PBFDKR
IRFH5020TR2PBFTR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5020TR2PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFH5020PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFH5020PBF)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : TPH6400ENH,L1Q
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 8,000
Prezzo unitario. : $1.66000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 8,000
Prezzo unitario. : $1.66000
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